MIS 硅芯片电容器
Skyworks Solution 金属绝缘体半导体 (MIS) 芯片电容器有多种电容值与芯片尺寸供选择，适用于需要 DC 阻隔、RF 旁路的芯片与引线电路，还可在滤波器、振荡器和匹配网络中用作调谐元件。
此类电容器拥有一层电介质，此电介质由热生成的其上有氮化硅沉淀的二氧化硅所构成。这种二层的电介质带来极低的电容温度系数、高绝缘电阻、优异的长期稳定性与可靠性。电容的温度系数低于 50 ppm/°C，且该电容器非常适于在 -65 °C 至 200 °C 之间运行。Skyworks MIS 芯片电容器拥有极高 Q.
晶片，可用于自动取放制造的扩张膜框架。为了达到降低成本的目的，我们可为您提供与样本电工测试封装至同一容器的芯片。Waffle 封装，经过 100% 电工测试，如果需要，可提供目视检查。
Skyworks 电容器分类如下：
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